機械設(shè)備60MW去PSG背拋光刻
設(shè)備名稱:60MW去PSG背拋光刻蝕清洗機
技術(shù)優(yōu)勢:
1.可觀的電池效率提升,根據(jù)不同的工藝基礎(chǔ),可提升0.2%-0.3%。
2.集擴散后拋光和濕法刻蝕與一體(專利技術(shù)),無需額外設(shè)備投入,無需增加工序。
3.無需使用NaOH, HNO3 H2SO4,更環(huán)保、更低的化學品耗用成本。
4.實現(xiàn)硅片浸入溶液傳輸并拋光(專利技術(shù)),無需“水上漂”或“滾輪帶液”,無刻蝕線,工藝穩(wěn)定,容易控制。
5.解決了反應氣泡不易散發(fā)的難題,拋光效果更好,碎片率更低。
6.專用拋光液,背面拋光效果更好,容易控制,產(chǎn)量大,成本低,廢水低污染,易處理,節(jié)約廢水處理成本。
7.背拋光技術(shù)與SE,背面鈍化(AL2O3),背接觸技術(shù),兩次印刷,MWT等主流技術(shù)可疊加,兼容性好,提升背面技術(shù)革新空間。
8.技術(shù)便于實現(xiàn)系統(tǒng)集成或模塊化,方便客戶選擇整機或改造。
9.國內(nèi)第一個完全擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、新型提效解決方案。
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