現(xiàn)貨供應(yīng)8寸156多晶硅片
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156*156多晶硅片規(guī)格標(biāo)準(zhǔn):
生長方法
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Growth Method
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DSS
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導(dǎo)電型號
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Conductive Type
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P
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摻雜劑
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Dopant
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B
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電阻率
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Resistivity(ρ)
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1.0 -3.0Ω·cm
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少子壽命
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Minority Carrier Lifetime
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≥2μs(brick 硅塊)
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氧含量
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Oxygen Content(oi)
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≤1.0*1018 at/cm3
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碳含量
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Carbon Content(c)
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≤1.0*1017 at/cm3
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硅片尺寸
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Size
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156*156±0.5mm
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倒角線角度
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Bebel Edge Angle
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45°± 10°
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倒角線寬度
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Bebel Edge Width
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0.5-2mm
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硅片厚度
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Thickness
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200±20 μm
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總厚度變化
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TTV
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≤30μm
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線痕
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Saw Mark
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≤15μm
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彎曲度/翹曲度
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Bow/Warp
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≤75μm
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崩邊
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chip
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深度<0.3mm;長度<0.5mm。
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微裂紋
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Crack
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不允許
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外觀
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Appearance
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目視檢查無污點,缺口,孔洞和裂紋
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晶粒尺寸
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Crystal Grain
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≥1cm2
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1. 類型:P型;2. 尺寸:156×156±0.5mm;3. 厚度:200±20 us;4. 電阻:0.8~3Ω·cm
5. 少子壽命:≥ 2us;6. 損傷層:無;7. TTV:≤50um;8. 垂直度:90°±0.3°
9. 翹角度:≤ 40um;10. 氧含量:<4×10 17cm-3 11. 碳含量:<2×1018 cm-3
12. 表面完整光潔,無油污等水痕現(xiàn)象,無裂紋,***及明顯的切割線。