|
公司基本資料信息
|
產品簡介
功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體,可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數,電壓可高達3KV,電流可高達4KA。詳詢一八一四零六六三四七六;該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數,具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)采用模塊化設計,方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。
功率器件靜態(tài)參數測試系統(tǒng)具有友好的上位機操作界面,被測參數以建立工程形式進行測量,用戶可以配置工程中的相關參數。支持單獨測試功率器件某一項靜態(tài)參數及一鍵測試已建立工程的靜態(tài)參數,可自動導出測試數據,提高測試效率。
功率器件靜態(tài)參數主要包括I-V特性、C-V特性等,普賽斯作為源表研發(fā)生產廠家,以自主研發(fā)為導向,深耕半導體測試領域,在I-V測試上積累了豐富的經驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備,廣泛應用于高校研究所、實驗室,新能源,光伏,風電,軌交,變頻器等場景。
產品特點
高電壓:支持高達3KV高電壓測試;
大電流:支持高達4KA大電流測試;
高精度:支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量;
豐富模板:內置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數;
配置導出:支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能;
數據預覽及導出:支持圖形界面以及表格展示測試結果,亦可一鍵導出;
模塊化設計:內部采用模塊化結構設計,可自由配置,方便維護;
可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;
可定制開發(fā):可根據用戶測試場景定制化開發(fā);
技術指標
PMST系統(tǒng)配置 |
關鍵參數 |
備注 |
P系列 |
PW高達30V/10A、300V/1A |
柵極特性測試 |
CW高達300V/0.1A、30V/1A |
||
最小脈沖寬度200uS |
||
HCP系列 |
PW高達30V/100A |
IGBT導通壓降、二極管瞬時前向電壓測試 |
CW高達10V/30A |
||
最小分辨率30uV/10pA |
||
最小脈沖寬度80uS |
||
HCPL系列 |
單臺PW高達12V/1000A,可多臺并聯(lián) |
|
最小脈沖寬度50uS |
||
E系列 |
CW高達3000V/100mA |
IGBT擊穿電壓測試 |
最小分辨率10mV/100pA |
||
測量精度 0.1% |
||
電橋 |
頻率范圍:20Hz~1MHz |
IGBT各級間電容測試 |
HVP系列提供0~400V直流偏置電壓 |
||
預置偏置電阻100kΩ |
||
矩陣開關 |
/ |
電路切換及源表切換 |
主機 |
/ |
|
測試夾具 |
根據器件封裝形式定制 |
|
系統(tǒng)具體配置由用戶自行選擇,以車規(guī)IGBT為例,一般配置如下:
訂貨信息
產品應用
功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
可測項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces
集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat
集電極電流Ic,集電極截止電流Ices
柵極漏電流Iges,柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
柵極電阻Rg
電容測量
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等